RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3825
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link