RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1921
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link