RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1921
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link