RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3324
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link