RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
32
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2974
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link