RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3316
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link