RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2508
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link