RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3038
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link