RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3519
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link