RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
31
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3142
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link