RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
32
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3742
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link