RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3762
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link