RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2462
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link