RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2665
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link