RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2519
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link