RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
31
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3282
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link