RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1660
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link