RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1660
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link