RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2987
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link