RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3004
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link