RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
23
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3435
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link