RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2803
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link