RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3826
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link