RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2373
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link