RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3134
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link