RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
48
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3061
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5403-003.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-067.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link