Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 42

Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.5 8.1

Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns

42 26
Prędkość odczytu, GB/s

13.9 13.9
Prędkość zapisu, GB/s

8.1 9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 12800

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2150 2432

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB