RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2386
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link