RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
106
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
106
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1252
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link