RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2878
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link