RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2945
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2666C12 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KJ9A 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link