RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
55
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2457
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link