RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4174
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link