RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3288
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link