RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
37
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4089
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link