RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3866
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link