RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4276
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link