RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
41
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2847
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link