RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2466
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link