RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3713
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link