RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3446
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link