RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3230
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link