RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3230
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link