RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2429
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link