RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2113
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link