RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2740
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link