RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2409
3707
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link