RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3729
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link