RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3583
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link