RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3559
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link