RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3437
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link