RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2809
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link