RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3009
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link